記憶體結構性升級與 Super Cycle：HBM 產能排擠與代理 AI 推升供需緊繃
- —2023 至 2025 年 AI 訓練需求帶動大廠將晶圓轉向高毛利 HBM，嚴重排擠標準型 DRAM 供給；2026 年代理 AI 爆發更推升 伺服器 CPU、KV Cache 及 Enterprise SSD 需求，使 DRAM 與 NAND 報價持續上揚。
DRAM 與 NAND 價格大幅飆漲，美光等大廠已與客戶簽訂長約保底毛利，且預估 2027 年 DRAM 產能僅能滿足六成需求。供需緊繃預計維繫至 2027 到 2028 年，記憶體 產業估值法正由 PB 轉向 PE。客戶搶卡產能與簽訂長約保底毛利，記憶體產業估值法正從 PB 轉向 PE 的結構性 Super Cycle
三大記憶體廠產能轉向 HBM 導致標準型 DRAM 供給受限，疊加代理 AI 對上下文 KV Cache 與高容量 SSD 需求爆發，缺口持續擴大。即使韓國大廠規劃擴產，建廠量產仍需一年半以上且支出謹慎。記憶體產業由價格競爭的循環性轉為客製化與高門檻的結構性成長，供需吃緊態勢將延續至 2027 年以後