$MU

Q3 DRAM 合約價季增超 50% 帶動產業向上享受漲價紅利，且 take-or-pay 長約範圍擴大提供下行週期保護。$SNDK 雖面臨 YMTC IPO 估值修正，但美光整體處境優異。長約涵蓋與價格雙重紅利支撐美光具備溫和下行保護與強勁上行彈性

全球記憶體供需失衡嚴重，現貨飆漲顯示 $MU 等記憶體大廠具備強勁定價權。記憶體現貨價高檔撐腰，短線股價回檔不影響中長期多頭格局

晶片業者為了降低成本嘗試各種替代方案，但高容量 DRAM 與 HBM 仍是長上下文 KV Cache 的唯一解答。記憶體大廠對於週期性擴產保持謹慎，資本支出增幅有限。HBM 與高密度 DRAM 的供需緊繃長期化，記憶體製造商享有強勁的定價權與營利彈性

市場因 $NVDA 伺服器漲價恐打壓需求而拋售美光，但輝達漲價主因正為記憶體成本暴漲，且 Amazon 等消費電子亦被迫大幅調價。記憶體產能已售罄至 2027 年底且供需緊缺延續至 2027 全年，短線倉位拋售與基本面吃緊邏輯強烈背離

長江存儲市占提升主要衝擊 NAND 市場，對 $MU 以 DRAM 為核心的護城河影響有限。美光於 Hot Chips 展示下一代 HBM 冷卻與先進封裝技術。美韓大廠在 HBM 先進封裝與熱管理具備高度技術門檻，中國競爭對手短期難以跨越

作為 HBM 記憶體 龍頭之一具備極高溢價定價權與毛利率，供不應求驅動成本轉嫁至下游伺服器。HBM 龍頭定價權與溢價能力高，成為 AI 供應鏈中最具利潤優勢的一環

股價自高點修正逾 20%，但本益比僅 6.5 倍極具估值吸引力，四大 CSP 雲端資本支出承諾持續兌現。低估值與基本面強勁形成顯著背離，短期籌碼去化拉回提供極佳之長線買進機會

宣佈未來 10 年在愛達荷州新增 100 億美元研發投資，聚焦下一代先進 記憶體 與 先進封裝 技術，展現強大研發實力與資金底氣。擴大先進記憶體研發鞏固長遠競爭優勢，HBM 強勁需求奠定記憶體產業獲利基石

股價隨擁擠 AI 交易獲利了結拉回 7%，但財報指引 Q4 營收 500 億美元與毛利率 86% 極佳。DRAM 與 NAND 記憶體需求持續大幅超越供給，基本面無任何壞消息而回檔提供布局機會

美光股價強勢上漲逾 4%，終結過去數週的下行走勢。記憶體族群短線景氣修正告一段落，法人買盤重新回流記憶體龍頭

產能僅能滿足 40-50% 需求，其餘需求遞延至明年，且長約鎖定預付款與違約保護。記憶體 供需依然緊繃，ASP 增速放緩是價格正常化而非週期見頂反轉

BofA 上調目標價至 1,550 美元，預估 2030 年每股盈餘中位數達 230 美元。記憶體長約架構下供給結構性緊俏，美光估值倍數理應高於歷史均值

美光連四日收漲逼近 1,000 美元關卡，機構確認 Q3 DRAM 與 NAND 合約價均大幅季增，長約架構展現穿越週期的獲利能力。合約價調漲趨勢明確且具備長期協議護航，美光長線評價持續享有穿越週期的溢價能見度

受 $SNDK 樂觀長期藍圖帶動同步強勢反彈，市場開始重新定價 記憶體 長週期價值。記憶體族群在 AI 推理需求推升下，盈利中樞有機會高於歷史週期

現價本益比不足 6 倍、市淨率 3.4 倍，在 記憶體 緊缺確認延長至 2027 年的背景下估值極具吸引力。若以 2027 年帳面價值 5 倍市淨率為目標，股價具備穩步挑戰 1,250 美元之空間

高階 HBM4E 客製化需求使設計與認證門檻大幅提升，多數客戶平台供應鏈將收斂至單一或雙供應商。雖然公司仍受 Fab 重資本支出與週期性約束，但高差異化記憶體占比提升將帶動美光從傳統大宗記憶體轉型並推升週期平均利潤率

管理層指出實質新增供給最快 2028 年才會出現，且對中國 CXMT 疑慮屬於過度誇大。毛利率保持 80% 以上條件下當前 3.4 倍市淨率具備極大重評空間，供給緊缺期延伸看好

在 $MU 等個股的期權操作中，給予部位充裕的時間（如長天期 Look-out 18-24 個月）能有效降低波動風險並大幅提升勝率。交易期權時必須拉長到期時間至 18 到 24 個月，透過時間給予部位充分實現價值主張的機會

揭露 16 份多年期長約及 220 億美元財務承諾，顯示雲端與車用客戶真金白銀鎖定產能。雖然市場擔憂過剩，但在預付款保護與 HBM 排擠傳統 DRAM 供給下，ASP 仍具支撐。多份預付款長約鎖定未來利潤，高階記憶體供需緊俏支撐股價長線走勢

全週上漲6.63%表現穩定，消費端疲弱被AI數據中心需求抵銷，三季度合約價維持雙位數季增。合約價延續季增態勢且數據中心需求扎實，股價受消費端干擾相對有限

美光與 SK 海力士等記憶體巨頭全面推行長達 5 年的長期合約與配給制度，鎖定客戶最低保證營收。記憶體大廠透過長約鎖定供給以打破景氣循環限制，高額配給制確保獲利結構獲得長遠支撐

記憶體 超級循環推升對 12 吋矽晶圓需求，美光預付鉅資鎖定 $6488.TWO 環球金產能。記憶體產業強勁復甦轉化為上游原料長期綁定意願，凸顯供需緊俏現況

近季營收年增逾 4 倍達 903 億美元，單季營業利潤率衝上 80% 創下追蹤公司中的最高紀錄，資本回報率高達 63%。雖然市場擔憂記憶體產業的週期性波動導致遠期本益比僅 5.3 倍，但現價 829 美元遠低於 DCF 估算合理價 1,476 美元。記憶體供需吃緊至少持續 12 至 24 個月，極低估值提供極佳的短期與中期風險回報比

HBM 與高階 記憶體 簽訂帶有價格上下限之長期協議（LTA），有效遏止過往景氣循環中客戶任意毀約風險。長約機制與產能分配制大幅增強記憶體廠商的定價主導權與盈利持續性

受惠於雲端巨頭與 AI 資料中心大規模擴建需求，記憶體 產品平均售價年增達 200% 至 300%。高昂的 記憶體 價格已直接傳導至下游雲端業者並推升其資本支出預算。資料中心建設潮推升記憶體供需緊繃，帶動記憶體晶片大廠價格與利潤率同步提升

7 月隨半導體族群估值修正拉回，但長線多頭趨勢並未破壞，逢低承接買盤明確。記憶體長線供需結構良好，拉回屬正常估值修正，多頭趨勢不變

受惠雲端資本支出驗證與三星釋出供需緊張至 2028 年利多，單日急漲 18%。去槓桿後迎來暴力反彈，但個股無差別多頭仍需時間確認

屬於資本密集型事業，自行營運多座晶圓廠導致 ROIC 長期約落在 30% 至 40%。近期的記憶體價格暴漲帶動季度營收年增逾 300%，預計未來 4 到 6 個季度營業利潤率將維持高檔並短暫超越 $NVDA。DCF 計算合理價值為 1,487 美元，現價 820 美元同樣具吸引力。雖然短期受惠供需緊繃獲利爆發，但長期獲利能力仍易受記憶體產業週期波動影響

受惠於大科技雲廠商資本開支增加與 HBM 供需緊張，股價自低位劇烈反彈。存儲晶片供需缺口持續擴大，長線需求未受短線去槓桿波動影響

面臨 $AAPL 因成本壓力向白宮請願開放採購中國晶片的干擾，但 HBM 產能已排滿至 2026 與 2027 年。維持年底 1600 美元目標價不變，短線交易波動不影響長線持股價值

記憶體產業基本面持續上修，為少數值得提前建立金字塔觀察部位的核心個股。產業基本面持續上修，極具左側小額提前布局的防守與成長價值

美光暴漲 18%，三星發布記憶體短缺延長至 2028 年的警告為記憶體多頭提供了最關鍵的官方背書

美光（$MU）過去一個月股價修正約 27%，但上半年累積巨大漲幅。雲端服務業者對 記憶體 與 HBM 的需求依然強勁，且未來人形 機器人 量產將大幅拓展 DRAM 需求。短線急跌為獲利吐回，記憶體 受惠 AI 基建與新應用長線需求方向並未改變

受海力士與韓國市場槓桿踩踏波及暴跌 10%，惟 HBM 需求與超級週期基本面維持健全。跟隨記憶體板塊恐慌情緒無差別下殺，基本面供不應求大方向並未改變

受 CXMT 上市及成熟 DRAM 擴產疑慮拖累，惟營收主力已轉向高毛利 HBM，CXMT 短期無法威脅高階領域。長興科技擴產僅影響通用型 DRAM，對美光 HBM 主力獲利結構無實質衝擊，短線錯殺提供買點

CXMT 暴漲掩蓋不了其與美光、SK 海力士在 HBM 賽道不同的事實，記憶體股在 Capex 恐慌下的修正反而是逢低布局機會

摩根士丹利與美銀同步調高目標價至 1550 美元，特斯拉在電話會公開感謝美光記憶體配額。買方 CEO 在財報會公開感謝記憶體供應商證實需求強勁，長約照付不議條款奠定基本面護城河

擁有 16 份戰略客戶 Take-or-Pay 照付不議協議，帶有 220 億美元預付款且客戶無法取消。硬合約結構提供極高基本面安全邊際，顯著優於一般意向書與軟性長約

美光股價自高點回撤逾兩成，但低價 DRAM 與 HBM 需求依然強勁，第三季 ASP 預計維持雙位數季增。報價上升趨勢未變，股價修正僅是槓桿退場引發的估值調整

財報業績遠超市場預期，反映 AI 伺服器建置對高頻寬記憶體與高容量記憶體之強勁需求。高階記憶體供需失衡持續外溢，成為 AI 供應鏈中最具利潤彈性的一環

股價隨 半導體 修正，但 AI 伺服器對 HBM 與 DRAM 需求強勁。記憶體 脫離傳統 PC 庫存循環，迎來長達數年的 AI 超級循環

股價大漲但前瞻本益比降至 7 倍低位，與 $000660.KS 同樣呈現獲利增速遠超估值上修的現象。企業 AI 資本支出與住宅投資脫鉤，支撐長線評價向上重估

三大廠商試圖透過簽署長約轉型為結構性成長，但鎖定價格等於以盈利彈性換取營運穩定性。現階段高毛利已過最甜蜜區間，客戶將積極尋求減少用量或替代方案，上檔空間受限

美光重挫 4.7%、SanDisk 跌 7.3%，費半累計回檔使漲幅收斂至 74%。晶片股殺盤係反映市場對 ROI 的短期疑慮與高位階洗盤，真正利空僅有算力過剩或 CSP 停止投資

Michael Burry 建立放空部位主因股價距離 200 日均線乖離率創 1984 年以來新高，但其忽視了強勁財報數字與 AI 實際獲利。槓桿型 ETF 資金已轉為買盤支撐，Burry 做空主要利用槓桿波動而非預測系統性崩盤

記憶體族群自 4 月大漲後回檔 15%，市場傳出 $META 縮減訂單與長江存儲打入蘋果等利空均經不起查證。短線急跌屬獲利了結與高乖離修正，只要四大 CSP 資本支出未減，記憶體長線邏輯依然成立

DRAM 與 NAND 價格大幅飆漲，美光等大廠已與客戶簽訂長約保底毛利，且預估 2027 年 DRAM 產能僅能滿足六成需求。供需緊繃預計維繫至 2027 到 2028 年，記憶體 產業估值法正由 PB 轉向 PE。客戶搶卡產能與簽訂長約保底毛利，記憶體產業估值法正從 PB 轉向 PE 的結構性 Super Cycle

單季營收與毛利率遠超歷史週期峰值，且戰略客戶長約鎖定至 2030 年累計 1,000 億美元保底收入。HBM 與高階 記憶體 供需極度吃緊至 2027 年，長線 AI 硬體週期動能依舊充沛

財報與財測遠優於預期帶動股價大漲 16%，毛利率高達 85% 展現強勁定價權。公司已與 16 家核心客戶簽定長達 3 年供貨合約，預估 AI算力 帶動的 記憶體 缺貨潮將延續至 2028 年。2028年前AI記憶體訂單已排滿且毛利率達85%，缺貨效益與獲利爆發力遠超市場預期

美光第三季營收達 414 億美元年增逾 4 倍，單季毛利率衝上 84.9% 並簽下 16 項長約。記憶體 供需失衡比預期更為嚴峻，長約鎖定訂單確保未來數年極高盈利能力

美光財報與 HBM 前瞻展望極佳，解除市場對記憶體與 AI 擴建放緩之疑慮。美光優異展望為 global AI算力 供應鏈注入強心針，台廠連動受惠

財報表現亮眼且指引強勁，明確指出 AI 所帶動的強勁需求將一路延續至 2028 年。強勁基本面數據消除市場疑慮，不僅帶動本身股價勁揚更確立 半導體 與 AI 族群長線多頭趨勢

美光第一季 記憶體 價格大漲顯著提升獲利，短線隨費半回檔屬於高乖離後的正常修正。AI 雲端巨頭資本支出並未鬆動，記憶體 供需失衡格局依舊打底向上

盤後公布極亮眼財報，第三季營收大幅成長且毛利率衝上 84.9%，盤後股價飆漲逾 15%。強力驗證 AI 記憶體 需求熱潮延續。美光毛利率與營收遠超預期，帶動全球記憶體供應鏈投資熱潮

美光受惠 記憶體 漲價題材，股價大漲近三倍並領跑標普 500。記憶體 與硬體業者直接享受產能緊俏與漲價紅利，成為資金輪動的最大受益者

股價大漲 6.8% 創 1211 歷史新高，盤後即將公布財報。預期第三季 記憶體 報價可望持續上揚 35% 至 40%。美光財報公布前夕股價創新高，反映記憶體合約價強勁漲勢

美光股價創下歷史新高，財報與前瞻展望充份驗證 HBM 與 DRAM 需求強勁。美股記憶體龍頭創高提供台廠供應鏈極佳的比價效應與信心護城河

前段時間隨大盤下修後迅速朝前高推進，受惠於 HBM 與 NAND 需求強勁外溢。短線拉回均為分批逢低進場時機，多頭趨勢並未改變

下週季報預計成為記憶體超級週期的又一里程碑，整體記憶體多頭格局未改。記憶體超級週期仍在延續，MU 財報是短期確認訊號，不是反轉風險點

週四收漲 8.7% 至 1,133.99 美元，創今年第 35 次歷史新高，年初至今累計漲幅接近 300%；Wedbush 目標價大幅上修至 1,300 美元、Stifel 上修至 1,500 美元。Micron 長期以低本益比被對待，如今 AI 對記憶體的需求外溢到消費電子成本結構，估值錨正式轉移、重新定價仍在進行中

股價自高點回落 6.2%，但分析師上調目標價至 1500 美元。美光毛利率與 EPS 增長超乎預期，24 日財報將是評估記憶體超級週期的關鍵點，當前震盪不改長期增長邏輯

將結構性接近循環高點的 EPS 套用軟體業的高 PE 估值，極易在循環翻轉時面臨雙殺。10 倍 PER 配上 Peak EPS 的組合在記憶體史上多次被驗證為頂部訊號，應警惕估值定錨回歸 PBR 的風險

美光單日強彈 11%，反映市場對記憶體報價調升及 HBM 需求維持高檔的信心。儲存需求結構性改善配合半導體板塊強彈，美光正擺脫前期的盤整區間，有望在 AI 伺服器需求驅動下挑戰歷史新高

股價強彈 10%，主因 NVIDIA 確認認證其為 HBM4 合格供應商。分析師上調成分股盈餘與銷售預估，雲端巨頭如微軟、Broadcom 的資本支出持續擴張，確認了記憶體與半導體解決方案需求的長期韌性

$MU 週五下挫逾 11%，反映市場對記憶體與 AI 供應鏈壓力的擔憂。與 $SNDK 相似，記憶體族群在半導體板塊集體修正中難以獨善其身，短線波動性顯著增加

HBM 短缺持續是 AI 擴張的約束，股價再漲。

記憶體供需失衡嚴重，三大廠均未大舉擴產，新廠投產仍需時日。毛利率高達 74%，2027 財年 EPS 預估飆升。目前股價僅對應 9 倍本益比且管理層積極去槓桿，估值極其低廉，具備強大補漲潛力

在 AI 硬體領域中經過深入研究並具備極高信心的標的為美光。記憶體供需結構在未來數年將持續供不應求，產業趨勢明確。記憶體產業長遠供需結構優異，深入研究並確定產業週期優勢後應堅定持股

直接參與 $Anthropic 股權融資，展現記憶體大廠從單純供應商轉向戰略合夥人的趨勢。這種深度綁定有助於鎖定未來數年穩定的 HBM 需求，並在源頭優化產能規劃。與模型商達成戰略同盟以確保長期市場佔有率，反映出 AI 供應鏈正進入高度整合與產能優先分配的階段

HBM3E 量產順利切入 $NVDA 供應鏈，但規模小於韓國雙雄致估值較敏感。美股唯一 HBM 標的，受惠產業週期但單一公司營運波動較大

實體 AI 的數據訓練與在地化推論需要巨量的高速 eSSD 方案。NVIDIA 與 Kioxia/SanDisk 陣營在先進硬碟上的深度合作，將直接利好存儲供應鏈。$MU 受益於實體 AI 對高速邊緣儲存的剛性需求，eSSD 是接下來訓練與推論不可或缺的核心。

市值首度突破一兆美元，瑞銀將目標價調升至 1,625 美元。AI 需求正改寫記憶體長年的週期性劇本，帶來更平滑的獲利曲線。記憶體板塊正經歷從週期股向成長股的估值典範轉移，但在瘋狂漲勢中須留意動能因子回調風險

美光執行長強調廠房建設週期長，設備投入將嚴格管理以匹配需求；目前僅能滿足客戶約 50% 到 66% 的訂單。記憶體已成為 AI 關鍵推動因素與戰略資產，在嚴格產能紀律下，高需求有望具備持續性

受惠於三星罷工推遲及板塊輪動。

建議可適度配置 $MU，因其估值相對便宜，且具備實體資產優勢。記憶體是算力鏈中估值窪地，且有產能作為底氣

AI 算力資料中心對 HBM 與高階 記憶體 產生爆發性需求，未來 5 至 10 年供需結構將維持緊繃。記憶體產業在 AI 浪潮下將維持長期供不應求，打破過去短期景氣循環走勢

Gavin明確表示：「我不認識任何像我一樣對DRAM不bullish的人。」MU以mid-single-digit PE交易、而半導體設備公司以40倍PE交易，這個估值差距在歷史上沒有先例（高點時是45 vs 12，不是40 vs 5）。DRAM公司的估值折價建立在對記憶體商業模式停滯的假設上，但HBM的結構性崛起和AI需求的長期性正在挑戰這個假設——估值重評的幅度可能遠超市場預期

與 $SNDK 同屬機構 Q1 重點佈局對象。在 AI 算力需求帶動下，記憶體族群正經歷結構性的持股調整與價值重估

受惠 AI 伺服器對高階 DRAM 與企業級 SSD 的龐大需求，市場評價邏輯已從過往的 P/B 景氣循環倍數轉向看重 P/E 成長性。三大大廠新增產能最快要到 2027 下半年才能開出，記憶體高景氣循環與強勁定價權將超預期延長

週三收漲 4.8% 至 803.63 美元，市值首次突破 9,000 億美元。週二股價一度暴跌觸及 700 美元關鍵支撐，多頭強力接盤留下長下影線，確認「逢低買進」信仰仍在。三星工會威脅 5 月 21 日至 6 月 7 日發動全面罷工，Jefferies 估計將衝擊全球記憶體產能約 3%，AI 資料中心 HBM 需求本已供不應求。三星罷工是 Micron 漲勢的外生催化劑，疊加 HBM 結構性需求缺口，中期多頭邏輯更加穩固

2026 年 2 月推薦至今已展現強大漲幅，基本面邏輯無誤。目前雖看好但因大盤恐高，需嚴格執行停利停損，不再投入新資金

受益於美系基金回補持倉與 FOMO 情緒帶動，估值倍數較低成為吸引資金追逐的優勢。供需缺口可能持續至 2028 年甚至更久，基金部位調整將加速股價向上反應

受三星潛在罷工可能衝擊全球 3% 產能的影響，股價與 SK Hynix 同步飆升。記憶體供需失衡的預期已成為短期股價最強催化劑，在三星勞資問題徹底解決前，全球資金將持續向 $MU 等非韓系龍頭集中以規避供給風險

股價觸及歷史高點，Hyperscalers齊聲提及記憶體成本攀升但反映的是廠商議價權強勢，長期供應協議提供結構性能見度。記憶體瓶頸是AI基建中最難被繞過的節點，估值重評有基本面支撐

與 Samsung 同屬記憶體利基市場，面對顯著更便宜的中國競爭對手；若 Trump-Xi 峰會釋出貿易緩和信號，可能出現類似 DeepSeek 衝擊的重新定價。中國低成本記憶體是結構性壓力，峰會是近期最大下行催化劑，記憶體股的本益比重評風險高於市場預期

$NVDA 與 $AMD 雙買家競爭帶動 HBM4 與 DDR5 產能鎖倉，記憶體 板塊定價權顯著提升。雙龍頭晶片競爭深化記憶體供需失衡，為產業鏈中最直接受惠的資產

單週漲 35% 創 2008 年以來最佳，AI 基建需求確認記憶體供應瓶頸加劇。SK Hynix 獲客戶預付擴產為產業罕見訊號。預期本益比僅 8.6 倍，遠低於板塊平均，估值修復仍處早期階段

美光明確指出 Agentic AI 會大量消耗記憶體，每層 Agent 呼叫都需讀上下文。HBM 供需持續偏緊，記憶體仍是 AI 浪潮中確定性最高的受惠板塊

記憶體製造商有機會擺脫過去消費性電子循環爆起暴落的景氣周期。合約價持續調升，AI需求帶動HBM供給持續吃緊，現貨小幅鬆動不影響主趨勢。AI格局打開後記憶體供需結構性失衡，合約價是真實反映，中線看多

分析師持續調高目標價，認為AI Agent與推理規模擴大帶動記憶體進入結構性成長周期；估值方法從PB轉向Forward PE，顯示市場對周期性風險的看法已改變。AI記憶體超級周期定性確立，HBM產能全數受限推升整體記憶體重估，中線持續看多。

講話前一日大漲 11%、開盤前又漲約 6%，HBM4 頻寬較 HBM3E 翻倍，以及 245TB SSD 節省資料中心 80% 物理空間，兩大產品同時成為市場焦點。記憶體勢頭強勁，HBM4 與高密度 SSD 雙引擎共同推升 MU 重新估值

受惠於 $AMD 12GW 部署所需的百萬 GB 級 HBM 需求，加上六代 EPYC 切換至 MRDIMM 與 DDR5 鎖倉。HBM4 合作與 CPU 平台升級雙重驅動，為美股中估值尚未透支的最優記憶體標的

美光昨夜大漲 11% 並創歷史新高，AI agent 與 edge agent 帶動記憶體需求，外溢效應可望帶動台灣記憶體概念股同步走強。美光強勢是台灣記憶體族群短線最直接的外部催化劑

執行長明確表態記憶體已是戰略資產，AI推理規模擴大讓Token需求持續攀升，必須擴產才能符合市場需求；HBM全數受限，整體記憶體供不應求局面確立。MU管理層對供需結構的判斷是中線最強的基本面支撐，維持看多。

美光在記憶體下行期間也曾一度破底做頭，市場悲觀時直接 surprise，屌噴上去。目前供給紀律維持、法說確認缺貨至 2027，記憶體模組出貨展望良好。基本面確認向上，情緒面的悲觀壓制一旦解除便是快速補漲的機會

DRAM 價格預測增幅被大幅上修至 250%-280%，HBM 定價能力強勁。記憶體 板塊不是短期週期而是結構性供需失衡。HBM 與高階記憶體供需極度緊張，逢回檔逢低分批布局並持續觀察營運表現

HBM 產能還在追趕 $SNDK 與 SK 海力士，但 NAND 技術同樣頂尖；若市場焦點從純 HBM 轉到 HBM + 大容量快閃記憶體，會獲得喘息與反攻空間。美光是焦點分流下被低估的兩邊押寶受益者

Melius Research 買進評級，目標價 700 美元，認為 HBM 需求是罕見結構性機會 #價位 市場低估了這波記憶體周期的持續時間

幾天前分享時在 $300，現在衝到 $500 已過伸，不宜在此追高；等回調後再評估 #價位 #風險

Google TPU 8 大幅堆砌 HBM，為 記憶體 HBM 超級週期加柴，受益於 AI 算力對高容量記憶體的爆發需求

昨日回調 2% 今日高開突破 500 美元以上，過去一年已翻漲六倍，估值相對 $AMD、$ARM 仍便宜 #比較 #價位

初次在此分享時股價為 80 美元，目前已達 500 美元；在 500 買進不等同在 300 買進，停損位難設 #價位 #比較