EP236 | 矽電容題材 / 聯電展望

前段時間隨大盤下修後迅速朝前高推進，受惠於 HBM 與 NAND 需求強勁外溢。短線拉回均為分批逢低進場時機，多頭趨勢並未改變

與 $MU 及 $WDC 同步自低點快速反彈，NAND Flash 產業需求擴展帶動營運想像。儲存族群與記憶體具備強勁反攻動能，跟隨美股波段走高

儲存族群包含 $MU、NAND 廠 $SNDK 與傳統 HDD 廠 $WDC 全線強攻前高。邊緣運算與 AI 加速器外溢需求帶動記憶體全產業鏈多頭趨勢

為台灣矽電容技術 Tier 1 業者，與代工夥伴 $6770.TW 及 $2303.TW 產能緊密綁定。矽電容嵌入先進封裝中介層趨勢確立，長期成長動能明確

全力衝刺 CUBE 3D 堆疊記憶體，作為平民版 HBM 切入邊緣 AI 加速器，並延伸至 SLC NAND 與矽電容領域。CUBE 預計 2027 年量產，高性價比方案引領邊緣 AI 市場長線趨勢

與 $6531.TW 合作代工矽電容產能，後續隨著先進封裝後端需求擴大而釋放動能。後端需求成長帶動矽電容下單量，營運隨題材發酵步入擴張期

矽電容薄型化至 50 微米，可順利嵌入 2.5D 與 3D 先進封裝中介層，解決晶片微小訊號干擾。先進封裝材料升級帶動矽電容需求暴增，成為半導體下波關鍵題材

VHM 切入 AI 推理 ASIC 晶片，滿足低延遲與省電訴求。實質營收貢獻預計於 2027 至 2028 年顯現。AI 推理需求興起帶動 VHM 長線價值，營收效益將逐年推陳出新

邊緣 AI 與推理終端興起，對低延遲與低功耗記憶體需求激增。推理架構不必盲目採用高價 HBM，客製化高頻寬記憶體迎來市場外溢機會

成熟製程利用率持續走揚，下半年新加坡新廠產能開出後稼動率上看 86%-87%。與 $INTC 12 奈米合作預計 2027 底量產。地緣轉單與新廠產能挹注中性偏好，宜尊重大資金進駐的波段動能

與 $2303.TW 展開 12 奈米晶圓代工合作，獲美國政府與大型科技公司政策支持。地緣政治轉單與外部合作為轉型提供支撐，逢拉回皆具中長期佈局價值

成熟製程受惠消費性需求回溫與 PMIC、驅動 IC 拉貨，代工稼動率持續上修。地緣政治轉單帶動成熟製程復甦，晶圓代工產業鏈營運逐季改善